现代电子技术

2019, v.42;No.551(24) 42-45

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO
High-stable Capacitor-free LDO suitable for 3D NAND

万金梅;刘飞;曾子玉;霍宗亮;

摘要(Abstract):

文中设计一种应用于3D NAND的无片外补偿电容的LDO,该电路在传统嵌套米勒补偿的基础上,增加"gm减小电路"和"轻重载控制电路",实现在空载(电流负载为零)且有大负载电容条件下的稳定。此设计应用YMTC 0.18μm工艺实现,仿真结果显示,在2.5~3.6 V电源供电下,整个电路消耗的静态电流为50μA,总补偿电容为7 pF,电路稳定的时间小于6μs,输出线性调整率小于2.2 mV/V,负载调整率小于0.9 mV/mA。

关键词(KeyWords): LDO;米勒补偿;3D NAND;电路设计;仿真实验;稳定性分析

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(61474137);; 国家重点研发计划(2018YFB1107700)~~

作者(Author): 万金梅;刘飞;曾子玉;霍宗亮;

Email:

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享