现代电子技术

2020, v.43;No.571(20) 126-130

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IGBT串联电压失衡机理研究
Study on unbalance mechanism of IGBT series voltage

赵景;张赛;

摘要(Abstract):

在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作。因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与研究,针对造成电压失衡的影响因素进行理论分析,对IGBT串联电压失衡机理进行了较为深入的研究,并提出平衡串联IGBT串联动态电压的方法。通过分析得出引起串联IGBT动态电压失衡的根本原因有三方面:动态阻抗不一致导致的动态分压不一致;开关时刻及速度不一致;寄生电容引起的分流导致各级IGBT流过的电流不一致。

关键词(KeyWords): IGBT串联使用;串联电压失衡;失衡因素分析;电压平衡方法;高压击穿;理论分析

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 河南省高等教育教学改革研究与实践项目(2017SJGLX614);; 河南省高等学校青年骨干教师培养资助项目(2018GGJS241)

作者(Author): 赵景;张赛;

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参考文献(References):

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